创维半导体设计大厦位于南山科技园高新南四道与科技南十路交汇处核心地段,深南大道边上!步行至高新园地铁口和大冲公交站4分钟,邻近沙河西路。建筑主体为26层(另地下2层),占地面积8421平方米,地上建筑面积达50000平方米。
1、离高新园地铁口仅需4分钟路程;
2、公交站台均在200米内,公交路线多40多条;
3、 净层高3.2米,陪伴统一地毯;
4、配备8部电梯,每层可使用电梯达到4部;
5、细节化无边框处理,品质大气上档次;
6、大厦商业配套齐全,大厦内设有员工食堂。
该大厦另有出租面积:100--3000平,户型方正,敞亮通风,面积可自由分隔、组合!!
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